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VD MOSFET                                                                                                                                                                                      

芯长征的VD MOSFET——兼具双极结晶体管和正规MOS元器件的显著优点,即使是面板开关使用最好线型使用,VDMOS也是志向的电率元器。


芯长征VD MOSFET,进行条状元胞构成,确认在加工制作工艺 上对N-JFET的的调整,变大JFET效用,使元件的导通热敏电阻增加,为了降底了元件办公时的升温,从而提高了模式的变为能力,而且在EAS功能角度具备有相对较大优质,类产品的的电压涉及範圍500V~800V,交流电涉及2A~25安培,可供应更好的成品使用。


产品特点                                                                                                                                                    

·低Crss和低Qg, 减低面板开关耗率;

·低导通输出阻抗,降导通损耗率 ;

·高抗浪涌技能



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Part Number

Package


VDSS(V)


ID(A)@25℃


V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25℃


QG(nC)

min

max

typ

MPVX5N50CCFDTO-251、TO-25250053.551.414.5
MPVA13N50FTO-220F50013240.3636
MPVX20N50BTO-220F   TO-220    TO-247     TO-3P50020340.2475
MPVA20N50FTO-220F50020240.2160

TO-220F

TO-251

TO-252

6502244.56.3
MPVX4N65F

TO-220F

TO-251

TO-252

6504242.311
MPVA7N65FTO-220F6507241.119
MPVD7N65FTO-2526507241.219
MPVA10N65FTO-220F65010240.8229
MPVA12N65FTO-220F65012240.6236
MPVX20N65FTO-220F TO-22065020240.3860
MPVX4N70FTO-220F   TO-251    TO-2527004242.911


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