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VD MOSFET
SiC Diode
IGBT Discretes
SJ MOSFET
IGBT module
IPM
FRD
PIM
SGT MOSFET
Trench MOSFET

VD MOSFET                                                                                                                                                                                      

芯长征的VD MOSFET——兼备双极纳米线管和通常MOS器材的的优点,不论是是触点开关应该用还线型应该用,VDMOS都在期望的最大功率集成电路封装。


芯长征VD MOSFET,使用条型元胞格局,借助在技术上对N-JFET的修正,减短JFET调节作用,使元配件封装的导通热敏电阻减低,而使削减了元配件封装作业时的温度,升高了系统性的变换效应,也在EAS学习能力管理方面极具比较大资源优势,产品的的电压降复盖条件500V~800V,交流电履盖2A~25安培,可供给更加多的的产品选定。


产品特点                                                                                                                                                    

·低Crss和低Qg, 削减开关按钮损失;

·低导通抗阻,减低导通耗用 ;

·高抗浪涌能力素质



品牌                                                                                                               

Part Number

Package


VDSS(V)


ID(A)@25℃


V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25℃


QG(nC)

min

max

typ

MPVX5N50CCFDTO-251、TO-25250053.551.414.5
MPVA13N50FTO-220F50013240.3636
MPVX20N50BTO-220F   TO-220    TO-247     TO-3P50020340.2475
MPVA20N50FTO-220F50020240.2160

TO-220F

TO-251

TO-252

6502244.56.3
MPVX4N65F

TO-220F

TO-251

TO-252

6504242.311
MPVA7N65FTO-220F6507241.119
MPVD7N65FTO-2526507241.219
MPVA10N65FTO-220F65010240.8229
MPVA12N65FTO-220F65012240.6236
MPVX20N65FTO-220F TO-22065020240.3860
MPVX4N70FTO-220F   TO-251    TO-2527004242.911


SiC SBD

芯长征的SiC SBD可构建Si FRD无非构建的微妙正向治愈日子,且正向治愈特点基本上不易受到工作温度转变 作用,构建配件的高速公路旋钮。


芯长征的SiC SBD,其导通时中并没有附加载流子的进入和保管,返向恢复原状带电粒子量(Qrr)小,可下降旋转开关耗率。SiC SBD改正了Si SBD的不充足,是高压电飞速与低电率耗率、耐耐高温塑料相搭配的抱负元件。


软件的特点

·逆向恢复功能电荷量少,转换开关不足低;

·反向的方式给回康复事件短,保证 高速路旋钮



类产品

Part NumberPackageVRRM (V)

IF(A)

VF(V)@ 25℃ typQG(nC) typTechnology
@ 135℃@ 150℃@ 158℃
TO-220-2   TO-252-2650--21.45.4SiC
TO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2650--31.47.7SiC
TO-220-26506--1.418SiC
TO-220F-2650-6-1.418SiC
TO-252-2650-6-1.418SiC
TO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2650-8-1.4226SiC
TO-220-2   TO-252-2650-10-1.525SiC
TO-220-2650-15-1.433SiC
TO-220-21200--61.5819SiC
TO-220-21200-10-1.630SiC




IGBT Discretes

芯长征IGBT适用较为先进集体的管沟栅场载止(Trench FS)高技术,运用较为先进集体的加工过程电商平台,坚持创新驱动于为客人具备安全稳定靠得住,功效质量良好的车辆。


芯长征的IGBT针对不同应用领域的需求,对静态参数、动态参数和短路参数进行优化折中以实现高性能。芯长征目前提供600V~1200V电压等级的IGBT单管,封装形式包括TO-220、TO220-FP、TO-247、TO-3P、TO-247PLUS、TO-263和TO-264等,适用于逆变焊机、通用变频、电机控制、不间断电源、太阳能逆变器等应用。


产品设备基本特征

·较低的饱和状态压降,很快的转换开关进程,较可以的断路经受力量;

·阀值输出功率和饱和点点压降等参数设置不一性好,饱和点点压降为正室内温度比率,利于串联利用;

·安全准确性高,结温限制150℃~175℃;

·內置正向灰复基本特征好的的快灰复电感



品牌

Part Number

Package

VCE(V)

IC(A)@100℃

VGE(th)(V)

VCE(sat) (V)@VGE=15V 25℃

With FRD(Y/N)

typ

typ

TO-2476006061.8Y
MPBD6N65EFTO-25265065.81.3Y

TO-220F

TO-252

TO-220

650105.51.4Y

TO-220F

TO-263

TO-220

650155.81.45Y

TO-220F

TO-263

TO-220

TO-247

TO-3P

650205.81.45Y
TO-247650505.51.6Y
MPBW50N65EHTO-247650505.51.6Y
TO-247650505.51.6Y
TO-247650755.41.55Y
MPBW15N120BFTO-24712001561.8Y
TO-24712002562.2Y
MPBW25N120BFTO-24712002561.9Y
MPBW30N120ETO-2471200305.81.6Y
MPBW40N120BFTO-2471200405.81.85Y
TO-2471200405.81.7Y
TO-2471200405.81.9Y
TO-2641200505.81.9Y
MPBQ50N120BTO-247 Plus1200505.81.8Y
TO-26412007561.9Y
MPBQ75N120BFTO-247 Plus1200755.81.9Y
TO-247 Plus1200755.61.58Y
TO-247 Plus12001005.41.7Y



SJ MOSFET

芯长征的SJ MOSFET是本身先进的中高电压单正负极电功率集成电路芯片,最主要利用运用电势平衡性枝术来进行低导通热敏电阻性,近几年是在供电科技领域要保持着强大的健康力的输出功率电子元件。


芯长征的SJ MOSFET,经过使用了屡次本质工艺工艺保持了低导通热敏电阻RDSON和FOM优值(RDSON*Qg),适用中可缩减保持系统工率损失并提高自己其装换质量,从而经过使用了年限保持工艺工艺对一部分企业新软件体整流二极管选择性回到优点确定了优化方案,保持了高功能和出众选择性回到优点企业新软件。现有可展示 电阻值使用范围图600V~800V,交流电使用范围图4A~100A的系列作品企业新软件。



产品的优点

·内层概念加工工艺,改进方案EMI;

·低FOM值,下降导通和面板开关损失;

·高EAS的能力,优质反向的方式给回可以恢复基本特征



车辆

Part NumberPackageVDSS(V)

ID(A)@

25℃

V(GS)th (V) typ

RDS(on)(Ω)@

VGS=10V 25℃ max

QG(nc)
TO-247600663-40.041140
MPSW60M043CFDTO-247600663-50.043140
TO-220F TO-247600433-40.08272
TO-247600433-50.08672
TO-24760026.62-40.11565
TO-24760021.42-40.1550
TO-220F TO-220     TO-262 TO-263 TO-247600202.5-3.50.1638.5
MPSA60M160CFDTO-220F600203-50.1642
MPSC60M160CFDTO-263600203-50.1642
TO-220F60017.62-40.1940
TO-24760017.62-40.1940
DFN8×860018.62-40.19540
MPSA60M250CFDTO-220F600153-50.2527
TO-220F60010.92-40.3522.6
TO-25260010.92-40.3522.6
TO-25160052-40.99.3
TO-25260052-40.99.3
TO-220F60052-40.99.3
MPSW65M046CFDTO-247650623-50.046 143
MPSW65M092CFDTO-247650413-50.09272
TO-24765029.12-40.1175
TO-220F65029.12-40.1175
TO-247650252-40.1365
TO-220F650252-40.1365
TO-220F65020.42-40.16550
TO-24765020.42-40.16550
TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247 DFN8×8650202.5-3.50.1738.5
MPSA65M180CFDTO-220F650203-50.1842
TO-220F65016.82-40.2140
TO-26365016.82-40.2140
TO-22065016.82-40.2140
TO-26265016.82-40.2140
TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 DFN8×8650152-40.2627
MPSA65M280CFDTO-220F650153-50.2827
MPSC65M280CFDTO-263650153-50.2827
TO-26265012.32-40.3227
TO-220F65012.32-40.3227
TO-26365012.32-40.3227
TO-25165012.32-40.3227
TO-25265012.32-40.3227
TO-22065012.32-40.3227
DFN8×865012.32-40.3227
TO-220F65010.42-40.3822.6
TO-25265010.42-40.3822.6
TO-220FT65010.42-40.3822.6
TO-26365010.42-40.3822.6
TO-22065010.42-40.3822.6
TO-25165010.42-40.3822.6
TO-26265010.42-40.3822.6
DFN8×865010.42-40.3822.6
TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 DFN8*8650112.5-4.50.3920
TO-220F6509.22-40.4520
TO-2206509.22-40.4520
TO-2636509.22-40.4520
TO-2626509.22-40.4520
TO-2526509.22-40.4520
TO-2516509.22-40.4520
TO-220F6507.62-40.5516
TO-2516507.62-40.5516
TO-2526507.62-40.5516
TO-2636507.62-40.5516
TO-2626507.62-40.5516
TO-220F6506.72-40.6414
TO-2206506.72-40.6414
TO-2526506.72-40.6414
TO-2636506.72-40.6414
TO-2626506.72-40.6414
TO-2516506.72-40.6414
DFN8×86506.72-40.6414
TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 DFN8*865082.5-4.50.6513.4
TO-220F TO-220 TO-251 TO-25265062.5-4.50.8110.4
TO-2626505.52-40.8311.2
TO-2516505.52-40.8311.2
TO-220F6505.52-40.8311.2
TO-2526505.52-40.8311.2
TO-2636505.52-40.8311.2
TO-220F TO-220 TO-251 TO-25265042.5-4.50.998.8
TO-220F6504.82-419.3
TO-2526504.82-419.3
TO-2516504.82-419.3
TO-220F TO-220 TO-262 TO-263 TO-247700202-40.1938.5
MPSA70M200CFDTO-220F700203-50.242
MPSX70M290TO-220F TO-220 TO-262 TO-263700152-40.2927
MPSA70M300CFDTO-220F700153-50.327
MPSC70M300CFDTO-263700153-50.327
TO-26370011.62-40.3627
TO-220F70011.62-40.3627
TO-25270011.62-40.3627
TO-25170011.62-40.3627
TO-220F700112-40.4222.6
TO-252700112-40.4222.6
TO-263700112-40.4222.6
TO-251700112-40.4222.6
TO-220F7007.32-40.616
TO-2527007.32-40.616
TO-2517007.32-40.616
TO-220F7006.42-40.7114
MPSD70M710BTO-2527006.42-40.7114
TO-220F7004.52-41.19.3
TO-2517004.52-41.19.3
TO-2527004.52-41.19.3
TO-25170052.5-3.51.55.5
TO-25270052.5-3.51.55.5
TO-220F70052.5-3.51.55.5
MPSA80M380BTO-220F800132-40.3829
MPSD80M380BTO-252800132-40.3829
MPSA80M670BTO-220F80082-40.6717.4
MPSD80M670BTO-25280082-40.6717.4
MPSA80M850BTO-220F8006.62-40.8513.7
MPSD80M850BTO-2528006.62-40.8513.7

IGBT module

芯长征赋予车规级模组产线,加工水平性复盖大多数对接焊式车辆和区域压接式车辆,加工水平性和芯片封裝的设备考虑太阳能火力发电、风向火力发电和二手车制造行业想要接口芯片封裝实际需求,为高稳定性接口预置了超声清洗波对接焊、铜心线键合等加工制作工艺设备;新款AlSiC、SiN等村料开始用做车用接口。


芯长征阶段大企业规模量产u盘的传感器选用自主学习设计的第三代管沟栅场到(Trench FS) IGBT集成电路单片机芯片,并将日益退出选用接下来代和第7代管沟栅场到IGBT集成电路单片机芯片的传感器,做到更低的耗费、更多的工率高密度和更多的作业结温(175℃)。


软件特征

·高安全性,先进性的热效率配置和温度因素配置作用;

·高电机功率强度和任务结温;

·关键的参数指标一样性好,有利于电容串联在使用;

·主要采用先进典型的槽栅场终止(Trench FS) IGBT处理器,包括动态信息主要数据设置、动态信息主要数据设置和漏电主要数据设置的优良折中性



软件

Part Number

VCE(V)

Ic(A)@

100℃

VCE(sat)(V)    @25℃ typ

Eon(mJ)

Eoff(mJ)

Package

MPFF100R07RBF65010023.21.634mm module
MPFF150R07RBF6501502.14.33.134mm module
MPFF200R07RBF6502002.25.85.134mm module
1200502.13.71.634mm module
12007525.44.134mm module
MPFS820R08PBF7508201.48.824.35HybridPACK Drive
MPFF100R12RB12001001.956.875.4434mm module
12001501.819.47.3962mm module
12001501.955.68.762mm module
120015023.68.734mm module
MPFF200R12RB12002001.9722.717.134mm module
12002002212.162mm module
120020028.813.662mm module
12003002.0513.721.762mm module
12004001.927.838.962mm module
MPFF450R12KBF12004502.0488.443.762mm module
12004502.1364.536.8EconoDual
12006002.2148.583.9EconoDual
MPFF300R17MBF12003001.9570.562.462mm module
MPFF450R17MBF12004502.4159.794EconoDual




IPM

看做高级的智力输出功率功能制定和批发商商,芯长征着力推进于线上推广高功能、高不稳性和具备有市场价之间的技术创新能力的系列作品IPM软件


选用于风机直流无刷电机类的小工作效率直流无刷步进电机控制程序IPM是的高度智能家居控制、高靠得住性的三相四线制无刷整流马达带动线路;其内装了6个快还原电率MOS管和3个半桥直流电栅极带动程序用电线路,室内集成系统了欠压防护功能表;应运于较低马力的直流变频空调带动程序IPM,其预置了3相全桥高压变压器栅极驱动程序电线和6个低衰减IGBT和FRD,里面的集成式了欠压、过压、过温等各项呵护特点,能提供了了优良的呵护和稳定不靠谱的安全防护上班面积,还有每一项相都会有一两个独自的负直流电源端,其直流电需要分别为独自监测。在二极管封装类型问题,选用了高接地、易导热性和高稳定不靠谱性的设计,能提供了了愈来愈狭窄的二极管封装类型体,选择愈来愈不方便,尤其是比较合适内置放直流电机的软件应用和特殊要求狭窄装设的时候。


產品特性

·内置6个快恢复功率MOS管或IGBT+FRD,内置高压栅极驱动电路,内置欠压保护,过流保护,过温保护等;

·兼容3.3V和5V的MCU的接口,高电平可靠;

·内置带限流电阻的快恢复自举二极管,良好的热稳定性,绝缘级别1500Vrms/min



软件

Part Number

Switch Type

VDS(V)/   VCE(V)

ID(A)@25℃/ IC(A)@100℃

Power range(w) @f=20KHZ

Viso

Package


MOSFET

600350—1001.5KVDIP23H/SOP23H
MOSFET600780—1501.5KVDIP23H/SOP23H
IGBT60015700—13001.5KVDIP-24
MPBM30N60BTBIGBT60030700—11.5KVDIP-24




FRD

快康复场效应管(简写FRD)是一个具有着触点控制开关优点好、交叉康复精力短等作用的场效应管,包括app于触点控制开关电源电路板、PWM脉宽配制器、变频柜器等电子厂电路板中


芯长征FRD 采用先进的寿命控制技术,兼备较低的VF和优异的反向恢复损耗,关注FRD在浪涌能力上的提升,优化FRD的软度因子,使其更加适合于变频应用电路中.


商品优势特点

·较低的VF;

·低的反方向恢复正常电势Qrr;

·高的浪涌意识IFSM


商品

Part NumberPackageVRRM (V)IF(AV) (A)VFM (V) @25℃IRM (μA) @25℃Polarity
typmaxtypmax
TO-3P-3L30030*20.951.2-4共阴
TO-3P-3L40040*2-1.5-10共阴



         










PIM

芯长征收获车规级模组产线,加工生产生产工艺系统进一步,包含一切焊结式车辆和一部分压接式车辆,加工生产生产工艺系统和芯片二极管封装的设备充分考虑光伏发电机组、风速发电机组和汽年职业的市场需求功能模快芯片二极管封装市场需求,为高信得过性功能模快预置了彩超波焊结、铜心线键合等加工生产生产工艺;新颖AlSiC、SiN等装修材料渐渐的适用车用功能模快。


芯长征如今多地化大量生产的输出模组应用综合性的设计的第二步代垫层栅场截至(Trench FS) IGBT集成块,并将慢慢面市应用第6代和第十九代垫层栅场截至IGBT集成块的输出模组,满足更低的耗损、更好的公率比热容和更好的业务结温(175℃)。


软件特别

·高靠谱性,更佳的效率反复往复和温差反复往复本事;

·高输出功率相对密度和运转结温;

·要点数据不一性好,可以并接的使用;

·通过高端的槽栅场终止(Trench FS) IGBT集成电路芯片,有空态性能指标、动图性能指标和断路性能指标的优良折中特点



类产品           

Part NumberVCE(V)Ic(A)@80℃VCE(sat)(V)    @25℃ typEon(mJ)Eoff(mJ)Package
650501.643.440.78EconoPIM™2
12001521.740.86Easy 1B
MPFB15R12WBF12001521.620.68Easy 1B
1200252.043.211.32Easy 2B
1200401.944.612.19Easy 2B
MPFP15R12CBF1200151.933.750.88EconoPIM™2
MPFP40R12CBF1200401.986.42.8EconoPIM™2
1200402.2311.142.59EconoPIM™2
1200401.785.211.32EconoPIM™2
MPFP25R12CBF1200251.984.251.64EconoPIM™2
1200252.14.941.5EconoPIM™2
1200502.2314.393.42EconoPIM™2
1200502.2515.173.09EconoPIM™2
1200501.8812.783.71EconoPIM™2
MPFP50R12TBF1200501.9424.44.93EconoPIM™2
1200751.8313.74.8EconoPIM™2
MPFP75R12TBF1200751.929.064.21EconoPIM™3
MPFP75R12DBF1200751.988.24.9EconoPIM™3
MPFS100R12DBF12001001.812.236.9EconoPIM™3
12001001.9326.28.1EconoPIM™3
12001501.892.9610.26EconoPIM™3
MPFP150R12DBF12001501.921.2411EconoPIM™3
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SGT MOSFET

SGT MOSFET又被粉丝称为屏幕栅MOSFET,是一项所采用电势耦合电路技术工艺来实现了不高导通压降的单化学性质马力器材,是一项相对符合中低电压采用的高特点器材。


芯长征科坚持创新驱动于开发技术性能指标SGT MOSFET新好产品,现阶段重叠40V~200V,主要功率进行300A,如果在优化系统集成电路芯片附生电感,进行了越来越低FOM (RDSON*Qg) 优值新好产品。



品牌优势

·低导通功率电阻,低FOM(RDSON*Qg),高EAS业务能力


软件

Part NumberPackage

VDSS(V)

ID(A)@25℃

V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(mΩ)   25℃ Max

QG(nC)
MinMax@VGS=10V@VGS=4.5V
TO-220100871.12.56.5930
DFN5*6100941.12.36.5950
MPGD10R7TO-252100941.12.379.550




Trench MOSFET

Trench MOS是另一种老式管沟热效率元器件,都更具高能信性和高而且低廉价格,最主要的支持于中底压场景,通常是在底压邻域都更具高而且低廉价格长处。


芯长征科技开发用到专业的基坑技術进第一步缩减了传统艺术trench MOSFET的导通电容和FOM(RDSON*Qg),充沛将元器使用性能延长到专业程度,现阶段其主要服务相电压覆盖面20V~100V服务系例。其主要用于DC-DC,电芯处理系统、LED、马达win7驱动等一下。


物料显著特点

·低导通电阻功率,低FOM,高EAS性能,高价位



类产品

Part NumberPackageVDSS(V)ID(A)@25℃V(GS)th(V)@250μARDS(on)(mΩ)   25℃ MaxQG(nC)
minmax@VGS=10V@VGS=4.5V
SOT23-3L6031.32.48010016
MPTO4N85SOT23-3L85412.4250-5.5
SOT23-3L10021.22.5240-10



         










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